SJ 50033.143-1999 半导体光电子器件GF1120型红色发光二极管详细规范
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F0ED9130AC73403D995E0020904D683D |
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日期: |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GF1120型红色发光二极管详细规范 SJ 50033/143—1999,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for type GF1120 red emitting diode,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 GF1120型红色发光二极管的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于GFU20型红色发光二极管(以下简称器件)的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件等级,按GJB 33A-97《半导体分立器件总规范》的规定,提供的质量保证等级为普军级,(JP)、特军级(JT)二级,2引用文件,GB 4590—84半导体集成电路机械和气候试验方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GB 11499-89半导体分立器件文字符号,GB/T 15651-1995半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件,GJB 33A-97半导体分立器件总规范,GJB 128A-97半导体分立器件试验方法,SJ 2355-83半导体发光器件测试方法,3要求,3.I 详细要求,每个器件的要求应按照GJB 33A和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构应按照GJB 33A中352、3.5,3、3.5.4和3.5.6条及本规范的规定,外形尺寸符合本规范图1的规定,3.2.1 管芯材料,管芯材料为碑铝化傢/神化傢GaAlAs/GaASo,中华人民共和国信息产业部!999-11-10发布1999-12-01 实施,-1 -,www. bzfxw. com 下载,SJ 50033/143—1999,3.2.2 外形尺寸及引出端识别,外形尺寸见图1。长引线为止极,明,1ヽ,磕,图1,3. 2.3封装形式,无色透明非空腔封装,3. 2.4引线长度,可按合同的规定(见6.2条)提供引线长度不同于本规范图1规定的器件,3.3 引线材料和引线镀涂,引线材料为铁基合金或铜基合金,引线镀银,也可按照合同规定(见6.2条),3.4 最大额定值和主要光电特性(&ボ25。0,3. 4.1最大额定值,最大额定值见表1,表1,‘FM ,fpm" なb ,Ts tg,mA mA V ℃ ℃,30 100 4 -55.100 -55-100,注:1)脉冲宽度为10ms,占空比为1/10,3.4.2主要光电特性,主耍光电特性见表2,-2 -,SJ 50033/143—1999,表2,名称符号条件,数值,单位,最小最大,发光强度ん/F=20 mA 100 — med,正向电压yr 4=20 mA 一2.0 V,峰值发射波长^1p 4=20 mA 655 665 nm,光谱辐射带宽4=20 mA — 20 nm,反向电流厶仁4 V 一10 nA,半强度角4/z 4=20 mA 10 一(°),3.5标志,根据器件的特点,省略GJB 33A中关于器件上标志的规定,其它按GJB 33A的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33A和本规范的规定,4.1.1 表4Al分组进行检验和试验的样品可以用于A2、A3、A7分组的检验和试验,通,过A组检验的样品,可以作为B组和C组检验的试验抽样的母体,4.1.2 在做C组检验中的寿命试验时,可将B组340 h寿命试验继续做到1 000 h,以达,到C组检验要求,4.1.3 表6C1分组进行检验的样品,如果光电特性符合A2、A7分组的要求则可以用于,C2分组的检验和试验,4.1.4 在做E组检验的温度循环试验时,制造厂可以选择已经过B组25次循环的全部,样品或部分样品再进行25次循环,以满足E组50次循环的要求,4.2 筛选(仅对JT级),筛选的步骤和条件应按GJB 33A和本规范表3的规定,表3筛选的步骤和条件,步骤检验或试验,GJB 128A,符号,数值,单位,方法号条件最小最大,1 内部目检,(封装前),2074,2 高温寿命,非工作寿命,(稳定烘焙),1032 Tstg=100 ℃,/=24h,3 温度循环,(空气一空气),1051 25 ℃时不要求停顿,试验条件A,但高温的,温度为100 ℃,循环20,次,《在髙、低温下的,时间)>10 min,一 3 -,SJ 50033/143—1999,续表3,步,骤,检验或试验,GJB 128A,符号,数值,单位,方法号条件最小最大,4 恒定加速度,(不适用),7 密封,(不适用),9 中间测试,(不适用),10 高温反偏(HTRB),(不适用),11 PDA的中间测试,和(厶)变化量,(见筛选13),正向电压,反向电流,发光强度,SJ 2355.2,SJ 2355.3,GB/T 15651,IV, 1.1,4=20 mA,/=4V,ルニ20 mA,测试条件3,炸,厶,ん100,2.0,10,V,W,med,12 功率老炼,(正向偏置),1038 试验条件B,ム=30 mA,r=96 h,13 终点测试,PDA中间测试的,光电参数和。)变,化量,正向电压变化量的,绝对值,发光强度变化量的,绝对值,SJ 2355.2,GB/T 15651,IV, L1,必须去掉老炼条件后,的96 h内完成全部中,间光电参数和(A)变化,量的测试,ル=20 mA,ム=20 mA,测试条件3,akf,A/VI,— 50,0.2 IVD,mV,med,14 密封,(不适用),4.3 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33A和本规范表4、表5、表6和表7的规定,4. 4质量一致性检……
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